v8000hds领先版的固件(EMC公司发布2016年年初各新型产品方案)

刘轩良

2022-04-27 03:33:50

EMC开发了新的存储产品，主要用于外部共享阵列，以及具有新的mahuanteng功能的聚合和超级聚合系统产品线。

这些解决方案将在未来两个季度发布，将彻底改变EMC产品线的面貌。基于目前的情况，我们应该已经掌握了存储巨头主流产品线的基本定位。

相关信息来自EMC在最近一次季度财务报告会议上披露的内容、多个来源以及EMC总裁VCE（音）ChadsongZuying发布的一系列博客文章。

相关背景包括VMware的mahuanteng/Evo:Rail/EMCvspexBlue产品的市场表现不佳，因此它迫切需要改造其核心mahuanteng软件。

此外，一种新的Flash格式也出现了。目前，3DNAND产品备受关注，更具成本效益；采用该方案的专用闪存模块也具有更大的存储容量。有鉴于此，EMC将在其存储产品中加入其所谓的闪存模块。

第三，如果采用更快的网络连接机制，将存储介质用作存储存储器，而不是块或文件存储资源，则外部全闪存阵列的性能将进一步提高。然而，后者的开发与现有SAN和文件存储安装基础不兼容。

这导致了EMC即将推出的新产品的初步划分。一方面，我们将继续欢迎传统VMAX和vnx阵列的下一代版本。另一方面，我们将在xtremeio等阵列产品上获得新的软件堆栈，因此将失去与VMAX和vnx的兼容性。

下表显示了我们的结论，包括EMC的主流产品LiuYifei、vnx和xtremeio在拆分后将如何采取新的开发步骤。

EMC新产品市场定位图

这些产品分为三个级别：高端、中端和入门级。每一层都有VMAX、vnx和vnxe等传统产品。在新一代解决方案层面，我们有一个全新设计的全闪存阵列；Xtremeio目前处于中端水平。从表现上看，xtremeio强于VMAX和vnx；xtremeio采用DSSD更快的速度，也成为xtremeio立足中端市场的先决保障。到目前为止，EMC尚未发布任何入门级的全闪存阵列产品。

接下来，我们将逐一检查它们。

共享阵列——DSSDD5nvme光纤连接全闪存阵列

据了解，即将推出的DSSD阵列将具备以下特点：

“一款名为D5的新型超高性能高端产品。

“使用nvmef连接机制的存储级内存（SCM）级延迟级别方案的延迟级别非常低，只有几十微秒。

“可容纳36个nvme专用闪存模块的前端接入方案具有更高的存储密度，并提供3.8TB的原始存储容量。

“3DNAND芯片。

“你需要与应用层合作才能使用持久性内存。

“面对新的市场领域。

下图显示了DSSDD5产品。

EMC制造的DSSDD5单元可容纳36个闪存模块。

我们在这里看到的是36固态闪存模块版本。据我们了解，这些nvme双端口设备是以定制方式构建的，这意味着它们的性能或存储容量可能超过标准的2.5英寸SSD。在全部36个闪存模块连接后，它们的总体存储容量和性能将显著提高。接下来，我们将尝试解释它的设计思想。

在本次每周电话会议上，EMCII首席执行官戴维·Goulden谈到了“最新的3DNAND技术和3.8TB驱动器方案”。

36个3.8TB驱动器总共提供136.8TB的原始存储容量。相比之下，HDS最新的HFS阵列可以在2U空间中提供高达96TB的容量，而D5需要占用5u空间。HFSa270可以通过光纤通道或以太网连接提供100万32KIOPs。

据ChadsongZuying介绍，每个闪存模块包含512个芯片，它们以堆叠配置并行运行。好的，总共有512个芯片提供3.8TB的容量，所以单个芯片的容量是7.4GB，并且采用3DNAND设计。三星今天还发布了3DNAND解决方案，采用了去年9月宣布的32层芯片设计，据我们所知，今年还将发布新一代48层解决方案。

Sakac还表示，DSSD的表现非常可观。我们估计它的IOPs可以达到500万或更高。

让我们来看看D5的背面图片。

DSSDD5的后视图

在图中，我们可以看到两排非常密集的LED指示灯，一组12个，分为四组。这意味着总共2X48个端口=总共96个端口。这两行指示符可能代表群集控制器，也就是说，最多支持48个群集连接。据我们了解，粉色电缆是PCIExpress电缆，nvme协议需要在此基础上生效。

根据我们的计算，三组PCIeGenX4端口每秒可以提供3.94GB的传输带宽。第3代X8的总传输容量为7.88GB/s，而第4代X8的总传输容量为15.76GB/s。因此，48个PCIe第4代15.76GB八通道端口每秒将提供总计756.5GB的最大传输带宽。

据我们了解，nvme架构将支持任何RDMA光缆，包括以太网（roce）、Infiniband、iwarp和omnifabric。同时，它将匹配命令协议，并通过基于PCIe的nvme提供常规和有针对性的队列机制。

适用于DSSD的应用场景包括：

•用于实时大数据分析的HDFS文件系统

•高交易频率键值存储

•高性能计算场景，如TACC

v8000hds

DSSD将于本季度正式上线，具体时间点可能在本月底。

XtremIO

Xtremeio阵列显然将被重建，并使用3DNAND和3.84TB驱动器。这意味着xtremeio将成为一个中端系统，而EMC将利用它来对抗纯存储、IBM的flashsystem、NetAppsolidfire和所有flashE系列产品、NicholasTse的K2、HDSHFSa系列、小提琴内存、x-io和其他类似的解决方案。

我们相信，单个x-brick的存储容量也将得到提高。

同时，我们相信，EMC将来可能还会推出入门级的全闪存阵列，比如用低配置版本的xtremeio作为全闪存vnxe级产品填充产品组合。

重构全速版VMAX

新设计的全闪存VMAX将于2016年第一季度发布。它将使用3DNAND3.84TB闪存驱动器。此LiuYifei是一个通用阵列，包括多组存储引擎，负责内部架构（即动态虚拟矩阵）和所有驱动器之间的通信。

我们相信，存储机架也将重新设计，以容纳闪存驱动器。此外，VMAX还将在软件层面进行修改，以使用这些闪存资源。

Goulden在发布声明中还强调，它不仅仅使用SSD驱动器作为闪存模块：“我们的工作成果不仅仅是在现有的VMAX系统中插入大量闪存驱动器。我们在系统改造、软件开发、VMware合作、硬件合作以及充分发挥新的……3DNAND技术的大规模优势方面投入了大量精力和努力。”

FullflashLiuYifei将用于IBMDS8000的Fullflash版本，HDSUSP，这是由惠普企业业务公司（HPenterprisebusinesscompany）利用日立的底层硬件及其Fullflash3Par产品构建的OEM方案。

然而，我们估计其复杂的基础VMAX存储引擎架构也不太可能重新设计。

目前，EMC拥有最大存储容量为1Pb的VMAX3100k、最大存储容量为2Pb的VMAX3200K和最大存储容量为4Pb的VMAX3400k。预计VMAX4号产品线将迎来同样容量的全闪存机型，并具备与各种管理和数据服务兼容的能力。

改造的全闪光vnx电平系统

这基本上是一个双控制器中端阵列，采用与VMAX相同的重新配置方法来支持3DNAND和3.84TB闪存驱动器。因此，这款全闪存阵列将于今年第二季度推出。当时，它的名字可能不再使用vnx。Goulden说：“我们将推出新的闪存优化中端存储系列，这将改变中端闪存的实际使用情况。”翻译是不再使用vnx名称。

然而，在这次会议上，EMC联邦首席执行官JoeTucci说：“EMCII已经开始了一项重要的计划，重新设计VMAX和vnx产品系列……VMAX和vnx预计将得到极大的加强和更新，以确保其在主全闪存存储市场上具有优异的竞争优势。”

在随后的声明中，Goulden说：“通过改造，我们可以真正将完整的vnx、VMAX、xtremeio和DSSD家族推向市场。他们将采用最新的技术成果，充分利用所有闪存资源来满足主存储需求……DSSD将负责处理新的工作负载级别。xtremeio和VMAX逸飞也基于类似的细分市场，但具有不同的属性，并依赖新技术。我们的中端产品线符合其定位。"

这个新设备会被称为vnx吗？无论如何，我们即将迎来一条新的中端全闪存阵列产品线。

该产品线将与HDSfullflashHUS、惠普企业业务公司3Par和NetApp的AFF竞争。