在纳米设计时代，可制造性设计（DFM）方法在提高良率方面中已经占据了中心地位。为了实现更高的良率，人们在初始设计和制造过程本身采用了各种技术。由于采用了DFM规则，验证这些技术的有效性就至关重要。新的测试方法学重点是识别故障机制，从而提供使测量取得成功的有价值的反馈链，这些方法学使故障诊断更为有效，从而缩短良率提高周期。
过去，测试的基本目的是识别有缺陷的器件并防止它们流出制造厂。这就是制造测试和扫描测试诊断要以全新的观点进行故障和良率分析的原因。
比如芯片测试是一个比较大的问题，直接贯穿整个芯片设计与量产的过程中。
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具体来说，芯片可以是下面几个方面
1、某个功能点点没有实现，这往往是设计上导致的，通常是在设计阶段前仿真来对功能进行验证来保证，所以通常设计一块芯片，仿真验证会占用大约80%的时间。
2、某个性能指标要求没有过关，比如2G的cpu只能跑到1.5G，数模转换器在要求的转换速度和带宽的条件下有效位数enob要达到12位，却只有10位，以及lna的noise figure指标不达标等等。这种问题通常是由两方面的问题导致的，一个是前期在设计系统时就没做足余量，一个就是物理实现版图太烂。这类问题通常是用后仿真来进行验证的。
3、单晶硅的生产问题。学过半导体物理的都知道单晶硅是规整的面心立方结构，它有好几个晶向，通常我们生长单晶是是按照111晶向进行提拉生长。但是由于各种外界因素，比如温度，提拉速度，以及量子力学的各种随机性，导致生长过程中会出现错位，这个就称为缺陷。
缺陷产生还有一个原因就是离子注入导致的，即使退火也未能校正过来的非规整结构。这些存在于半导体中的问题，会导致器件的失效，进而影响整个芯片。
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那么，芯片具体在什么环节进行？
现在芯片面积越来越大，测试相当具有挑战性。所以如何测试其实是一门很深的学问。由于信号过多，不可能把每个信号都引出来测试，所以肯定在设计的时候就要做可测性实际，就是DFT。
DFT简而言之，DFT就是通过某种方法间接观察内部信号的情况，例如scan chain之类。然后通过特定的测试仪器来测试——这种仪器不是简单的示波器，它要能产生各种测试波形并检测输出，所以一套平台大概要上百万。而且这些DFT比较适合于小芯片，大芯片像CPU之类的还会使用内建自测试（built-in self test），让芯片自己在上电后可以执行测试，这样就大大减小了测试人员的工作量。
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DFT测试通过之后，就到正式的芯片测试环节了
一般是从测试的对象上分为WAT、CP、FT三个阶段，简单的说， 因为封装也是有cost的， 为了尽可能的节约成本， 可能会在芯片封装前， 先进行一部分的测试， 以排除掉一些坏掉的芯片。 而为了保证出厂的芯片都是没问题的， final test也即FT测试是最后的一道拦截， 也是必须的环节。
每个步骤偶尔会出现错误，就需要不断调整返回到出现错误的地方更正。我经历的最严重的错误是发现芯片设计有问题，项目推倒重来。其实从芯片、模组、系统再到产品应用，无不应用到测试，比如在在车内安全配置上，车身电子稳定系统、侧气囊、胎压监测都已成为上市车辆的标配。
就如上图来说，汽车系统安全保障离不开测试的支持。
为此，电子发烧友承接德国莱茵TÜV举办的【2017汽车质量安全高峰论坛】，将在9月21日于广州市天河区林和中路172号广州建国酒店三楼天伦厅举行，在此诚挚地邀请您作为参会嘉宾出席本次活动。
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