在为电脑购买内存时，大多数人会注意内存容量和频率参数。一般来说，容量越大越好，频率越高越好。当然，这两个参数非常重要，但另一个重要参数经常被忽略，那就是内存定时。那么，什么是内存定时，它是如何影响内存性能的呢？在本期《大众科学》中，闪德君将带你了解这个记忆参数。
定时将影响内存芯片上各种常见操作之间的延迟。如果延迟超过一定的限制，就会影响内存的性能。简而言之，存储器的定时是对存储器在执行各种操作时可能经历的固有延迟的描述。
存储器的定时是通过时钟周期来测量的。在内存模块的产品页上，您可能会看到一系列以破折号分隔的数字，例如16-18-18-38。这些数字被称为内存定时。本质上，因为它们代表延迟，所以时间越短越好。这四个数字代表了所谓的“主定时”，它对延迟的影响最大。
对应于四个存储器定时数的参数分别是Cl、tRCD、Trp和TRAS，单位是时间段。其中Cl（CAS延迟）表示“列地址访问的延迟时间，这是计时中最重要的参数”；TRCD（RAS至CAS延迟）指“存储器行地址传输至列地址的延迟时间”；Trp（RAS预充电时间）指“存储线地址选通脉冲的预充电时间”；RAS（RAS活动时间）指“行地址被激活的时间”。
读了以上内容后，你是否更加困惑？别担心。让我们举一个简单的例子。
我们可以把数据存储在内存中的位置想象成一个网格，每个网格存储不同的数据。CPU需要什么样的数据，它会向内存发送相应的指令。
例如，CPU需要C3位置的数据。在接收到来自CPU的指令后，内存必须首先确定数据所在的行。定时的第二个参数tRCD代表这个时间，这意味着内存控制器在接收到来自该行的指令后需要等待多长时间才能访问该行。
在内存确定数据所在的行之后，必须确定列才能找到数据。序列的第一个数字Cl表示在内存确定行数后访问特定列所需的时间。
在确定行数和列数后，可以准确地找到目标数据。因此，CL是一个精确的值。任何更改都会影响目标数据的位置。因此，它是计时中最关键的参数，对记忆性能起着重要作用。
存储器定时的第三个参数Trp用于在确定一行之后确定另一行的等待时间。
第四个参数TRAS可以简单地理解为内存写入或读取数据的时间。它通常接近前三个参数之和。
因此，在保证稳定性的前提下，内存定时越低越好。但我们知道，许多内存模块可以超频，高频和低定时相互矛盾。通常，当频率上升时，必须牺牲时间。如果时间足够短，就很难提高频率。例如，主要存储制造商今年发布的ddr5内存的频率确实有所增加，但时间远远高于DDR4内存。
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